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氮化鎵（GaN）作為寬禁帶半導體，是第三代半導體的代表性材料，其為直接帶隙材料，具有發光效率高、熱導率大、物理化學性質穩定等優點，在照明、顯示、探測等多個領域有較高應用價值。低維（如納米柱、量子點）GaN基材料因其獨特的物理特性，受到廣泛關注。中科院蘇州納米所陸書龍團隊利用分子束外延（MBE）技術開展了GaN基納米柱材料外延生長的研究，基于納米柱結構的GaN基探測器有望獲得良好的柔韌性，可以拓展GaN基材料在光電探測器領域的發展與應用。

在前期柔性GaN基納米柱薄膜快速剝離技術和相關探測器件的基礎上（ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943；ACS Photonics 2021, 8: 3282；Materials Advances, 2021, 2: 1006），該團隊利用轉移的(Al,Ga)N納米柱薄膜制備出一種柔性自驅動紫外探測器，該器件具有較高的紫外/可見光抑制比（977）、比探測率（2.51×1011 Jones）和透明度（Max: 81%）。實驗發現，該自驅動探測器具有良好的柔韌性（圖1），500次的大幅彎折之后，器件的光電流強度仍保持穩定。此外，GaN基材料穩定的物化性質和器件鈍化工藝使探測器在長時間的光照測試（6000s）、耐久度測試（30天）后依然具有良好穩定性。

上述研究成果以Flexible self-powered photoelectrochemical photodetector with ultrahigh detectivity, ultraviolet/visible reject ratio, stability, and a quasi-invisible functionality based on lift-off vertical (Al,Ga)N nanowires為題，發表在Advanced Materials Interfaces上，并被期刊選為背封面。